MOSFET onsemi canal N, SOIC 6 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
7,7 nC @ 5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, automobile, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 51,31
€ 1,026 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,026 | € 5,13 |
| 100 - 495 | € 0,891 | € 4,46 |
| 500 - 995 | € 0,783 | € 3,92 |
| 1000+ | € 0,712 | € 3,56 |
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6 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
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Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
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Isolated
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
7,7 nC @ 5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET à double canal N, automobile, Fairchild Semiconductor
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