MOSFET onsemi canal N, SOT-23 680 mA 25 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
680 mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.3mm
Longueur
2.92mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,64 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.93mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 196,10
€ 0,065 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
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+8 V
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1
Largeur
1.3mm
Longueur
2.92mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,64 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.93mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
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