MOSFET onsemi canal N, DFN 80 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
6.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
214 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.3mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
1.05mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Philippines
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€ 94,93
€ 2,373 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
40
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40
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 40 - 396 | € 2,373 | € 9,49 |
| 400+ | € 2,058 | € 8,23 |
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N
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Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
6.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
214 W
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
6.3mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
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