MOSFET onsemi canal P, D2PAK (TO-263) 27 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
27 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Détails du produit
MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor
La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.
Caractéristiques et avantages :
Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS
Applications :
Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 98,31
€ 1,966 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,966 | € 9,83 |
| 100 - 495 | € 1,705 | € 8,52 |
| 500+ | € 1,50 | € 7,50 |
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
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Détails du produit
MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor
La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.
Caractéristiques et avantages :
Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
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Applications :
Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
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MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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