MOSFET onsemi canal P, TO-220F 19 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
TO-220F
Série
QFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
120 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Taille
16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 66,07
€ 1,321 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 66,07
€ 1,321 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,321 | € 66,06 |
| 250 - 950 | € 1,131 | € 56,53 |
| 1000 - 2450 | € 1,102 | € 55,08 |
| 2500+ | € 1,073 | € 53,64 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
TO-220F
Série
QFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
120 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Taille
16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.