MOSFET onsemi canal N, TO-220F 9 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 807-5910Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FQPF9N50CF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

9 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Série

QFET

Type de conditionnement

TO-220F

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

44 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

28 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.9mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

16.07mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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50 - 95€ 1,272€ 6,36
100 - 495€ 1,103€ 5,52
500 - 995€ 0,969€ 4,85
1000+€ 0,882€ 4,41

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N

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Série

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TO-220F

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

44 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

28 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.9mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

16.07mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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