MOSFET onsemi canal N, A-247 75 A 55 V, 3 broches

N° de stock RS: 807-6670Marque: onsemiN° de pièce Mfr: HUF75344G3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

75 A

Tension Drain Source maximum

55 V

Séries

UltraFET

Type de boîtier

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

285 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.87mm

Charge de Grille type @ Vgs

175 nC @ 20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.82mm

Matériau du transistor

Si

Taille

20.82mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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20+€ 3,025€ 6,05

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75 A

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55 V

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Through Hole

Nombre de broche

3

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8 mΩ

Mode de canal

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2V

Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1

Longueur

15.87mm

Charge de Grille type @ Vgs

175 nC @ 20 V

Température d'utilisation maximum

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Largeur

4.82mm

Matériau du transistor

Si

Taille

20.82mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
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