Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
750 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,98
€ 0,299 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 5,98
€ 0,299 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
750 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


