MOSFET onsemi canal N, SOT-23 2,8 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.8 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
115 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 47,73
€ 0,239 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 47,73
€ 0,239 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,239 | € 4,77 |
| 500 - 980 | € 0,207 | € 4,14 |
| 1000 - 1980 | € 0,182 | € 3,64 |
| 2000+ | € 0,166 | € 3,32 |
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N
Courant continu de Drain maximum
2.8 A
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Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
115 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
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