Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Rectifier
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.85V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
100ns
Diamètre
5.3mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
70A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
€ 0,86
€ 0,86 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 0,86
€ 0,86 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 0,86 |
10 - 99 | € 0,74 |
100 - 499 | € 0,65 |
500 - 999 | € 0,56 |
1000+ | € 0,52 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-201AD
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Commutation
Type diode
Rectifier
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.85V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
100ns
Diamètre
5.3mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
70A
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.