MOSFET onsemi canal N, SOT-223 4 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.56mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
1.6mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 41,36
€ 0,827 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,827 | € 4,14 |
| 100 - 495 | € 0,718 | € 3,59 |
| 500 - 995 | € 0,63 | € 3,15 |
| 1000+ | € 0,575 | € 2,88 |
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N
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4 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.56mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
1.6mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
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