MOSFET onsemi canal N, SC-75 915 mA 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
915 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,82 nF @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
0.8mm
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 9,21
€ 0,092 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 9,21
€ 0,092 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 190 | € 0,092 | € 0,92 |
| 200 - 740 | € 0,058 | € 0,58 |
| 750 - 1490 | € 0,051 | € 0,51 |
| 1500+ | € 0,044 | € 0,44 |
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N
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Type de conditionnement
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,82 nF @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
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Hauteur
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