Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
45 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 5 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
10
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
45 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 5 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Détails du produit


