MOSFET onsemi canal P, D2PAK (TO-263) 18,5 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
18,5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.29mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 4,5 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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Single
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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