Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 3,80
€ 0,759 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 3,80
€ 0,759 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,759 | € 3,80 |
| 50 - 95 | € 0,655 | € 3,27 |
| 100 - 495 | € 0,568 | € 2,84 |
| 500 - 995 | € 0,498 | € 2,49 |
| 1000+ | € 0,455 | € 2,27 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


