MOSFET onsemi canal P, DPAK (TO-252) 12 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
55 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Largeur
6.22mm
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Single
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Matériau du transistor
Si
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
6.22mm
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