MOSFET onsemi canal N, IPAK 12 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
IPAK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
104 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
48 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,4 nC @ 5 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.38mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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2V
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Si
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