MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 12 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
104 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
48 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,4 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Czech Republic
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 956,24
€ 0,382 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Single
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Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
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Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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