MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 58 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
57,7 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
2.63 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC @ 4,5 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.38mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
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Mode de canal
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2.5V
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Single
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Température d'utilisation maximum
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Longueur
6.73mm
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC @ 4,5 V
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