MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 20 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 719-2901Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NTD5867NLT4G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

50 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

36 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

15 nC V @ 10

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

2.38mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 4,04

€ 0,808 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 20 A 60 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 4,04
10€ 8,08
15€ 12,12
20€ 16,16
25€ 20,20
30€ 24,25
35€ 28,29
40€ 32,33
45€ 36,37
50€ 34,82
55€ 38,31
60€ 41,79
65€ 45,27
70€ 48,75
75€ 52,23

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 0,808€ 4,04
50 - 95€ 0,696€ 3,48
100 - 495€ 0,604€ 3,02
500 - 995€ 0,53€ 2,65
1000+€ 0,483€ 2,41

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N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

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-60 V

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

50 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

36 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

15 nC V @ 10

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Température d'utilisation maximum

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