MOSFET onsemi canal P, SOT-523 (SC-89) 760 mA 20 V, 3 broches

N° de stock RS: 780-0554Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NTE4151PT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

760 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-523 (SC-89)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

310 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-6 V, +6 V

Matériau du transistor

Si

Largeur

0.95mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

1.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

2,1 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

0.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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1000+€ 0,138€ 6,88

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P

Courant continu de Drain maximum

760 mA

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Type de boîtier

SOT-523 (SC-89)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

310 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-6 V, +6 V

Matériau du transistor

Si

Largeur

0.95mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

1.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

2,1 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

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