Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
760 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-523 (SC-89)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
0.95mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,1 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 9,21
€ 0,184 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 9,21
€ 0,184 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,184 | € 9,21 |
| 500 - 950 | € 0,159 | € 7,96 |
| 1000+ | € 0,138 | € 6,88 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
760 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-523 (SC-89)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
0.95mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,1 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


