Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
185 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
2.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
14,3 nC @ 10 V
Largeur
3.5mm
Hauteur
1.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 18,10
€ 0,905 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 18,10
€ 0,905 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
20 - 198 | € 0,905 | € 1,81 |
200+ | € 0,785 | € 1,57 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
185 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
2.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
14,3 nC @ 10 V
Largeur
3.5mm
Hauteur
1.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit