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MOSFET onsemi canal P, SOT-223 2,6 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 688-9130PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NTF2955T1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

2.6 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

SOT-223-5

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

185 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

2.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.5mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Charge de Grille type @ Vgs

14,3 nC @ 10 V

Largeur

3.5mm

Hauteur

1.57mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 18,10

€ 0,905 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal P, SOT-223 2,6 A 60 V, 3 broches
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
20 - 198€ 0,905€ 1,81
200+€ 0,785€ 1,57

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P

Courant continu de Drain maximum

2.6 A

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Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

185 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

2.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.5mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Charge de Grille type @ Vgs

14,3 nC @ 10 V

Largeur

3.5mm

Hauteur

1.57mm

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