Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC @ 10 V c.c.
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.65mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,85
€ 0,685 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 6,85
€ 0,685 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,685 | € 6,85 |
100 - 240 | € 0,59 | € 5,90 |
250 - 490 | € 0,512 | € 5,12 |
500+ | € 0,451 | € 4,50 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC @ 10 V c.c.
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.65mm
Détails du produit