Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
7,6 nC @ 5 V
Largeur
3.5mm
Hauteur
1.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 11,02
€ 0,551 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 11,02
€ 0,551 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,551 | € 11,02 |
| 200 - 480 | € 0,475 | € 9,50 |
| 500+ | € 0,413 | € 8,25 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
7,6 nC @ 5 V
Largeur
3.5mm
Hauteur
1.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


