MOSFET onsemi canal P, SOT-223 2,9 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2,9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
3,13 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 17,64
€ 0,706 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Longueur
6.7mm
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150 °C
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Matériau du transistor
Si
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