Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8.4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
8.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 10,59
€ 0,53 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 10,59
€ 0,53 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,53 | € 10,60 |
200 - 480 | € 0,457 | € 9,14 |
500+ | € 0,397 | € 7,94 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8.4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
8.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit