Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
142 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
SiC Power
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0,012 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 20,21
€ 20,21 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 20,21
€ 20,21 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 20,21 |
10 - 99 | € 17,42 |
100+ | € 15,10 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
142 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
SiC Power
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0,012 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC