Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
29 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
NTH
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0.11 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 107,67
€ 5,384 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
€ 107,67
€ 5,384 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 198 | € 5,384 | € 10,77 |
| 200+ | € 4,67 | € 9,34 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
29 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
NTH
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0.11 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC


