MOSFET ON Semiconductor canal N/P, ChipFET 3 A, 3,9 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
3 A, 3,9 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
ChipFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
115 mΩ, 240 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,6 nC @ 4,5 V, 3 nC @ 4,5 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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ChipFET
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CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
115 mΩ, 240 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,6 nC @ 4,5 V, 3 nC @ 4,5 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
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