MOSFET onsemi canal N, ChipFET 4,1 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.1 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
ChipFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
115 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Si
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