MOSFET onsemi canal P, ChipFET 6,7 A 20 V, 8 broches

N° de stock RS: 780-0595Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NTHS4101PT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6.7 A

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

ChipFET

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

52 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC @ 4,5 V c.c.

Hauteur

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 4,23

€ 0,423 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal P, ChipFET 6,7 A 20 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 4,23
20€ 8,46
30€ 12,68
40€ 16,91
50€ 20,06
60€ 24,07
70€ 28,08
80€ 32,09
90€ 36,11
100€ 40,12
110€ 44,13
120€ 48,14
130€ 52,15
140€ 56,17
150€ 60,18

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110€ 44,13
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130€ 52,15
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 0,423€ 4,23
50 - 190€ 0,401€ 4,01
200 - 490€ 0,28€ 2,80
500+€ 0,265€ 2,65

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P

Courant continu de Drain maximum

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ChipFET

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8

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52 mΩ

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Largeur

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Si

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