MOSFET onsemi canal N, SOT-363 250 mA 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2.72 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 238,89
€ 0,08 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
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1.5V
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Configuration du transistor
Isolated
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2
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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