MOSFET onsemi canal P, SOT-363 880 mA 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
880 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,2 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 223,35
€ 0,074 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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Isolated
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2
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1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,2 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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