MOSFET onsemi canal N/P, SOT-363 250 mA, 880 mA 20 V, 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
250 mA, 880 mA
Tension Drain Source maximum
20 V, 30 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω, 500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
270 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 5 V, 2,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 17,50
€ 0,175 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 17,50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,175 | € 4,38 |
| 250 - 475 | € 0,151 | € 3,78 |
| 500 - 975 | € 0,133 | € 3,32 |
| 1000+ | € 0,12 | € 3,01 |
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N, P
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Tension Drain Source maximum
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Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω, 500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
270 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 5 V, 2,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
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