MOSFET onsemi canal N, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

N° de stock RS: 780-0627Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NTJD5121NT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

0.3 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

SOT-363

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

2,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

266 mW

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

0,9 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 0,099 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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500 - 950€ 0,085€ 4,26
1000+€ 0,074€ 3,69

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N

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CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

2,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

266 mW

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

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