Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
266 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 4,94
€ 0,099 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 4,94
€ 0,099 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,099 | € 4,94 |
| 500 - 950 | € 0,085 | € 4,26 |
| 1000+ | € 0,074 | € 3,69 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
266 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,9 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


