Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
870 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-723
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
550 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.25mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 90,35
€ 0,181 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 90,35
€ 0,181 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,181 | € 9,04 |
| 1000+ | € 0,157 | € 7,84 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
870 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-723
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
550 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.25mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


