MOSFET onsemi canal N/P, WDFN 4,1 A, 4,6 A 20 V, 6 broches

N° de stock RS: 780-0655Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NTLJD3119CTBG
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

4,1 A, 4,6 A

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de boîtier

WDFN

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

120 mΩ, 200 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

2,3 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Longueur

2mm

Charge de Grille type @ Vgs

3,7 nC @ 4,5 V, 5,5 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

2

Largeur

2mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

0.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor

Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 6,91

€ 0,691 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N/P, WDFN 4,1 A, 4,6 A 20 V, 6 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 6,91
20€ 13,82
30€ 20,73
40€ 27,64
50€ 34,55
60€ 41,46
70€ 48,37
80€ 55,28
90€ 62,19
100€ 59,55
110€ 65,51
120€ 71,46
130€ 77,42
140€ 83,37
150€ 89,33

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,691€ 6,91
100 - 240€ 0,596€ 5,96
250 - 490€ 0,516€ 5,16
500 - 990€ 0,453€ 4,54
1000+€ 0,413€ 4,12

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Type de boîtier

WDFN

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

120 mΩ, 200 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

2,3 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Longueur

2mm

Charge de Grille type @ Vgs

3,7 nC @ 4,5 V, 5,5 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

2

Largeur

2mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

0.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.

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