Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
8 nF @ 10 V c.c.
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 4,69
€ 0,469 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 4,69
€ 0,469 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,469 | € 4,69 |
| 100 - 240 | € 0,405 | € 4,05 |
| 250 - 490 | € 0,351 | € 3,51 |
| 500 - 990 | € 0,308 | € 3,08 |
| 1000+ | € 0,281 | € 2,81 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
8 nF @ 10 V c.c.
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


