MOSFET onsemi canal N, SOIC 4 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 780-0674Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NTMD4N03R2G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

80 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

2 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

8 nF @ 10 V c.c.

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 0,469 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,469€ 4,69
100 - 240€ 0,405€ 4,05
250 - 490€ 0,351€ 3,51
500 - 990€ 0,308€ 3,08
1000+€ 0,281€ 2,81

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N

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SOIC W

Type de montage

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Nombre de broche

8

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80 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

2 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

8 nF @ 10 V c.c.

Température d'utilisation maximum

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