Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
337 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NTMFS0D8N
Type de conditionnement
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
0,00115 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 97,93
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 97,93
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Paquet de production (Bobine)
100
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N
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337 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NTMFS0D8N
Type de conditionnement
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
0,00115 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si