MOSFET onsemi canal N, SO-8FL 191 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
191 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SO 8 FL
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
113.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.9mm
Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
88 nC @ 11,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Hauteur
1.05mm
Pays d'origine
Malaysia
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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SO 8 FL
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CMS
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8
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3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
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Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
4.9mm
Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
88 nC @ 11,5 V
Température d'utilisation maximum
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