MOSFET onsemi canal N, SO 8 FL 59 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
59 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SO 8 FL
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
11.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
41,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11,3 nC @ 4,5 V, 24,4 nC @ 11,5 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.1mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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SO 8 FL
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
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41,7 W
Configuration du transistor
Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.1mm
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