MOSFET onsemi canal N, SO 8 FL 79 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
79 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SO 8 FL
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
4.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
43 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 436,65
€ 0,291 Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
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1
Largeur
6.1mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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