Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
378 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
NTMFS5C404N
Type d'emballage
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
700 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
128 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.1mm
Hauteur
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 52,62
€ 5,26 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 52,62
€ 5,26 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 5,26 |
| 100 - 499 | € 4,56 |
| 500 - 999 | € 4,01 |
| 1000+ | € 3,65 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
378 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
NTMFS5C404N
Type d'emballage
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
700 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
128 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.1mm
Hauteur
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit


