MOSFET onsemi canal N, SO 8 FL 276 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
276 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SO 8 FL
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
167 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.1mm
Longueur
6.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.05mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 1 404,41
€ 0,936 Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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Matériau du transistor
Si
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5.1mm
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