MOSFET onsemi canal N, DFN 123 A 80 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
123 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de conditionnement
DFN EP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.05mm
Pays d'origine
Malaysia
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€ 1 186,21
€ 0,791 Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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