MOSFET onsemi canal N, SOIC 12 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
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Single
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
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Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
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