MOSFET onsemi canal N, DFNW8 554.5 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
554.5 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
DFNW8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
660 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
245.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
126 nC à 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.15mm
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€ 6 346,44
€ 2,115 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
245.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
126 nC à 4,5 V
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