Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
533 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DFNW8
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
480 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
245 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
187 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.15mm
€ 73,52
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 73,52
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
533 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DFNW8
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
480 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
245 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
187 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.15mm