Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
76 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
188 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
15.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.28mm
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 100 V à 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 15,08
€ 3,015 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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N
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76 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
188 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
15.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.28mm
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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